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理學(xué)門(mén)類分為數(shù)學(xué)類、物理學(xué)類、化學(xué)類、天文學(xué)類、地理科學(xué)類、大氣科學(xué)類、海洋科學(xué)類、地球物理學(xué)類、地質(zhì)學(xué)類、生物科學(xué)類、心理學(xué)類、統(tǒng)計(jì)學(xué)類、理科試驗(yàn)班類,專業(yè)包括信息與計(jì)算科學(xué)、應(yīng)用化學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、生物科學(xué)、生物技術(shù)、應(yīng)用心理學(xué)、地理科學(xué)等等。
1、工學(xué)門(mén)類分為力學(xué)類、機(jī)械類、材料類、儀器類、電氣類、自動(dòng)化類、紡織類、輕工類、兵器類、建筑類、測(cè)繪類、水利類、地質(zhì)類等32類,主要專業(yè)有機(jī)械設(shè)計(jì)*及其自動(dòng)化、測(cè)控技術(shù)與儀器、工業(yè)設(shè)計(jì)、材料科學(xué)與工程、通信工程、自動(dòng)化等。
2、農(nóng)學(xué)門(mén)類分為水產(chǎn)類、植物生產(chǎn)類、動(dòng)物生產(chǎn)類、動(dòng)物醫(yī)學(xué)類、草學(xué)類、林學(xué)類、自然保護(hù)與環(huán)境生態(tài)類,主要專業(yè)有農(nóng)學(xué)、林學(xué)、園林、水產(chǎn)養(yǎng)殖學(xué)、動(dòng)物醫(yī)學(xué)等等。
3、醫(yī)學(xué)門(mén)類分為臨床醫(yī)學(xué)類、口腔醫(yī)學(xué)類、藥學(xué)類、法醫(yī)學(xué)類、基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)類、醫(yī)學(xué)技術(shù)類、中醫(yī)學(xué)類、中藥學(xué)類、中西醫(yī)結(jié)合類、公共衛(wèi)生與預(yù)防醫(yī)學(xué)類、醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)班,專業(yè)主要有預(yù)防醫(yī)學(xué)、中醫(yī)學(xué)、針灸推拿學(xué)、醫(yī)學(xué)影像學(xué)、臨床醫(yī)學(xué)、口腔醫(yī)學(xué)、藥學(xué)等等。
4、此外,理科生還可以報(bào)考經(jīng)濟(jì)學(xué)類下的經(jīng)濟(jì)統(tǒng)計(jì)學(xué),這個(gè)專業(yè)對(duì)數(shù)學(xué)要求比較高,所以更適合理科生報(bào)考。
擴(kuò)展資料:
適合女生的理科專業(yè)有:
1、護(hù)理專業(yè):護(hù)理專業(yè)有些考生會(huì)認(rèn)為相對(duì)辛苦一些,但是護(hù)理專業(yè)的的就業(yè)緊缺是不可忽視的事實(shí)。
2、計(jì)算機(jī)專業(yè):計(jì)算機(jī)專業(yè)畢業(yè)以后可以當(dāng)程序員之類的,和計(jì)算機(jī)打交道,如果你對(duì)計(jì)算機(jī)有興趣也可以。
3、財(cái)務(wù)金融:考生在該專業(yè)畢業(yè)后一般可以在在基金公司主要從事基金績(jī)效評(píng)估、風(fēng)險(xiǎn)控制、資產(chǎn)配置等工作;在證券公司主要從事會(huì)計(jì)、審計(jì)等工作;在銀行從事財(cái)務(wù)管理、風(fēng)險(xiǎn)投資等工作。
4、工商管理:工商管理也是比較熱門(mén)的專業(yè),能從事市場(chǎng)營(yíng)銷、企業(yè)管理、國(guó)際商務(wù)、人力資源和國(guó)際物流等工作,就業(yè)面十分廣泛,待遇也處于各行業(yè)較高地位。
5、會(huì)計(jì)學(xué):學(xué)習(xí)課程包括管理學(xué)、微觀經(jīng)濟(jì)學(xué)、宏觀經(jīng)濟(jì)學(xué)、管理信息系統(tǒng)、統(tǒng)計(jì)學(xué)、會(huì)計(jì)學(xué)、財(cái)務(wù)管理、市場(chǎng)營(yíng)銷、經(jīng)濟(jì)法、財(cái)務(wù)會(huì)計(jì)、成本會(huì)計(jì)、管理會(huì)計(jì)、審計(jì)學(xué)等。
對(duì)于理科女生學(xué)習(xí)是比較有利的,學(xué)習(xí)內(nèi)容也偏于理科方面。畢業(yè)后考生可以在各企業(yè)、事業(yè)單位從事會(huì)計(jì)相關(guān)工作。
參考資料:
百度百科-理科
一、解答:
(美國(guó))耶格(Richard C.Jaeger) (美國(guó))布萊洛克(Travis N.Blalock)的《微電子電路設(shè)計(jì)》
二、拓展:
1、圖書(shū)信息:
出版社: 電子工業(yè)出版社; 第1版 (2011年1月1日)
外文書(shū)名: Microelectronic Circuit Design
叢書(shū)名: 國(guó)外電子與通信教材系列
平裝: 1334頁(yè)
正文語(yǔ)種: 英語(yǔ)
開(kāi)本: 16
ISBN: 9787121127120, 7121127121
條形碼: 9787121127120
尺寸: 25.8 x 18.4 x 4.6 cm
重量: 2 Kg
2、作者簡(jiǎn)介:
作者:(美國(guó))耶格(Richard C.Jaeger) (美國(guó))布萊洛克(Travis N.Blalock)
3、內(nèi)容簡(jiǎn)介:
第一部分介紹固態(tài)電子學(xué)與器件,討論了電子學(xué)的發(fā)展與電路分析方法和微電子器件的工作原理、I-V特性及SPICE模型等。第二部分為數(shù)字電路,包括數(shù)字電路的基本概念和CMOS電路、存儲(chǔ)電路、ECL與TTL等雙極型邏輯電路以及BiCMOS電路。第三部分為模擬電路,以理想運(yùn)算放大器和SPICE仿真為基礎(chǔ)介紹了不同結(jié)構(gòu)運(yùn)算放大器的相關(guān)特性、小信號(hào)模型、具體分析方法和集成設(shè)計(jì)技術(shù),最后討論了放大器的頻率響應(yīng)、反饋和振蕩器等問(wèn)題。通過(guò)學(xué)習(xí)《微電子電路設(shè)計(jì)(第4版)(英文版)》可以了解現(xiàn)代微電子電路設(shè)計(jì),包括模擬與數(shù)字,分立與集成,了解內(nèi)部結(jié)構(gòu)也有利于系統(tǒng)設(shè)計(jì)中對(duì)集成電路的適當(dāng)選擇。讀者對(duì)象:《微電子電路設(shè)計(jì)(第4版)(英文版)》適用作電子與信息類各專業(yè)本科生基礎(chǔ)課的雙語(yǔ)教材或參考書(shū),也可作為相關(guān)領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考資料。
4、目錄
Preface xx
PART ONE
SOLID STATE ELECTRONIC AND DEVICES 1
CHAPTER 1 INTRODUCTION TO ELECTRONICS 3
1.1 A Brief History of Electronics:
From Vacuum Tubes to Giga-Scale
Integration 5
1.2 Classification of Electronic Signals 8
1.2.1 Digital Signals 9
1.2.2 Analog Signals 9
1.2.3 A/D and D/A Converters-Bridging the Analog and Digital Domains 10
1.3 Notational Conventions 12
1.4 Problem-Solving Approach 13
1.5 Important Concepts from Circuit Theory 15
1.5.1 Voltage and Current Division 15
1.5.2 Th′
evenin and Norton Circuit Representations 16
1.6 Frequency Spectrum of Electronic
Signals 21
1.7 Amplifiers 22
1.7.1 Ideal Operational Amplifiers 23
1.7.2 Amplifier Frequency Response 25
1.8 Element Variations in Circuit Design 26
1.8.1 Mathematical Modeling of Tolerances 26
1.8.2 Worst-Case Analysis 27
1.8.3 Monte Carlo Analysis 29
1.8.4 Temperature Coefficients 32
1.9 Numeric Precision 34
Summary 34
Key Terms 35
References 36
Additional Reading 36
Problems 37
CHAPTER 2 SOLID-STATE ELECTRONICS 42
2.1 Solid-State Electronic Materials 44
2.2 Covalent Bond Model 45
2.3 Drift Currents and Mobility in
Semiconductors 48
2.3.1 Drift Currents 48
2.3.2 Mobility 49
2.3.3 Velocity Saturation 49
2.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 50
2.5 Impurities in Semiconductors 51
2.5.1 Donor Impurities in Silicon 52
2.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 52
2.6 Electron and Hole Concentrations in Doped
Semiconductors 52
2.6.1 n-Type Material (ND >NA ) 53
2.6.2 p-Type Material (NA >ND ) 54
2.7 Mobility and Resistivity in Doped
Semiconductors 55
2.8 Diffusion Currents 59
2.9 Total Current 60
2.10 Energy Band Model 61
2.10.1 Electron-Hole Pair Generation in an Intrinsic Semiconductor 61
2.10.2 Energy Band Model for a Doped Semiconductor 62
2.10.3 Compensated Semiconductors 62
2.11 Overview of Integrated Circuit
……
Fabrication 64
Summary 67
Key Terms 68
Reference 69
Additional Reading 69
Important Equations 69
Problems 70
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